今晚(3月21日),NVIDIA春季GTC技術(shù)大會召開。作為NVIDIA炫技的主要舞臺,新東西可謂眼花繚亂。
其中值得關(guān)注的一項是,NVIDIA宣布推出cuLitho軟件加速庫,可以將計算光刻的用時提速40倍。
所謂計算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù),掩膜是一種平面透明或半透明的光學元件,上面有芯片加工所需的圖案,按照是否需要曝光將圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上。光刻加工過程開始后,通過控制光刻機的曝光和開關(guān)操作,可以將光束根據(jù)掩膜上的圖案進行分割和定位,使得光束只照射到需要曝光的區(qū)域,從而將芯片上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠層上,實施芯片光刻。
因為每種芯片都要經(jīng)歷多次曝光,所以光刻中使用的掩膜數(shù)量不盡相同。NVIDIA H100(臺積電4N工藝,800億晶體管)需要89張掩膜,Intel的14nm CPU需要50多張掩膜。
此前“精雕細琢”的計算光刻依賴CPU服務器集群,現(xiàn)在NVIDIA表示,500套DGX H100(包含4000顆Hopper GPU)可完成與4萬顆CPU運算服務器相同的工作量,但速度快40倍,功耗低9倍。
這意味著,GPU加速后,生產(chǎn)光掩模的計算光刻工作用時可以從幾周減少到八小時。
黃仁勛透露,NVIDIA已經(jīng)和ASML(荷蘭阿斯麥)、臺積電以及新思科技簽署技術(shù)合作,新思甚至已經(jīng)將該技術(shù)集成到其EDA工具中,將服務2nm甚至更高精度的制程。
NVIDIA認為,新技術(shù)可以實現(xiàn)更高的芯片密度和產(chǎn)量,按照更好的設計規(guī)則以及借助人工智能驅(qū)動光刻行業(yè)前進。
按照NVIDIA預估,未來幾年高NA EUV光刻機應用后,掩膜制作的計算數(shù)據(jù)量將提升10倍以上,目前cuLitho軟件加速庫已經(jīng)支持高NA EUV光刻可能用到的曲線掩膜、亞原子光致抗蝕劑掩膜等制造。
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