【天極網(wǎng)數(shù)碼頻道】據(jù)外媒報(bào)道，三星可能會(huì)在今年上半年開始量產(chǎn)第三代4納米芯片，將會(huì)針對4nm工藝做出全方位改進(jìn)，性能、功耗方面均有不小提升。

去年年中，三星宣布全球首發(fā)3nm制程工藝，與前幾代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶體管架構(gòu)，能極大改善芯片的功率以及效率。與之前的5nm相比，新一代的3nm制程工藝降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同時(shí)減少16%的面積。三星還宣稱，第二代的3nmGAA制造工藝也尚在研發(fā)中，下一代工藝將使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并減少35%的面積。三星電子表示，其GAA晶體管芯片將會(huì)應(yīng)用于高性能、低功耗的計(jì)算領(lǐng)域，并計(jì)劃拓展到移動(dòng)處理器。

三星電子的3nm芯片采用GAA架構(gòu)通過降低電源電壓和增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流的能力來有效提升功率。此外，三星還在高性能智能手機(jī)處理器的半導(dǎo)體芯片中也應(yīng)用過納米片晶體管，與納米線技術(shù)相比，前者擁有更寬的通道，以及具備更高的性能和效率。三星的客戶可通過調(diào)整納米片的寬度，來定制自己需要的功耗和性能指標(biāo)。

雖然目前3nm工藝是世界上最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，包括臺(tái)積電也在沖擊3nm工藝，但4nm和5nm仍為時(shí)下主流工藝。在5nm時(shí)代，采用三星5nm工藝制程打造的驍龍8早早地就翻了車，迫使高通不得不將之后的訂單悉數(shù)交給臺(tái)積電，而由臺(tái)積電代工的驍龍8+在性能功耗等各個(gè)方面都遠(yuǎn)超三星5nm工藝的驍龍8，這主要是因?yàn)槿堑?nm工藝對比臺(tái)積電的5nm工藝在晶體管密度這塊就相差了35%。

而在4nm工藝中，業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，三星目前4nm工藝的良品可達(dá)到60%，臺(tái)積電卻高達(dá)70%-80%。這次的第三代4nm工藝相較此前，擁有更低的功耗和更小的面積，并且性能表現(xiàn)上非常亮眼。隨著技術(shù)逐漸成熟，三星4nm工藝良品率也會(huì)不斷攀升，后期或許能與臺(tái)積電齊頭并進(jìn)。

與此同時(shí)，有外媒報(bào)道稱，三星一位高管表示，相比于此前受困的良率問題，三星第一代的3nm制程良率已接近完美，第二代3nm芯片技術(shù)也迅速展開。此外，此前傳聞的中90%的臺(tái)積電3nm良率過于夸張，實(shí)際可能在50%以上。不過，也有消息表示三星沒有足夠的人才來支撐3nm工藝的全力推進(jìn)，為了緩解這一情況，三星重組了130nm和65nm工藝的人力，重新分配至3nm產(chǎn)線。因此，三星也付出了一定的代價(jià)，不再承接來自中小型廠家基于130nm和65nm代工的芯片訂單。

因此可以確定的是，目前三星依然主攻4nm和5nm工藝制程，同時(shí)在3nm工藝上繼續(xù)精進(jìn)，為后續(xù)工藝升級提供技術(shù)積累。在面對技術(shù)更加穩(wěn)健的臺(tái)積電時(shí)，三星一直不占上風(fēng)，但隨著工藝不斷進(jìn)步，以及提前搶占3nm工藝的高地，不斷提升4nm工藝技術(shù)，三星有望追上臺(tái)積電的腳步，重新獲得高通的青睞。