臺(tái)積電3nm細(xì)節(jié)公布:2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升
近日,臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2!作為參考,采用臺(tái)積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm2,晶體管密度103億,平均下來是0.9億/mm2,3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下,就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。性能提升上,臺(tái)積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm
2020-04-20 08:02:18
來源:快科技??

近日,臺(tái)積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情,其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2!

作為參考,采用臺(tái)積電7nm EUV工藝的麒麟990 5G尺寸113.31mm2,晶體管密度103億,平均下來是0.9億/mm2,3nm工藝晶體管密度是7nm的3.6倍。這個(gè)密度形象化比喻一下,就是將奔騰4處理器縮小到針頭大小。

性能提升上,臺(tái)積電5nm較7nm性能提升15%,能耗提升30%,而3nm較5nm性能提升7%,能耗提升15%。

此外臺(tái)積電還表示,3nm工藝研發(fā)符合預(yù)期,并沒有受到疫情影響,預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。

工藝上,臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。

但臺(tái)積電老對(duì)手三星則押寶3nm節(jié)點(diǎn)翻身,所以進(jìn)度及技術(shù)選擇都很激進(jìn),將會(huì)淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。

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