【手機(jī)之家】6月20日，根據(jù)外媒報道，臺積電目前正在研發(fā)更先進(jìn)的2nm制程工藝，計劃在2025年量產(chǎn)。據(jù)了解，臺積電在上周舉行的北美技術(shù)論壇上宣布他們的目標(biāo)是2nm制程工藝在2025年量產(chǎn)，這也是他們首次透露這一工藝的量產(chǎn)時間。

臺積電在論壇上透露2nm制程工藝將基于全新的納米片電晶體架構(gòu)，與5nm工藝所采用的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）完全不同。此前有消息透露稱，臺積電2nm建廠計劃相關(guān)環(huán)保評審文件已提交送審，力爭明年上半年通過環(huán)評，隨即交地建廠，第一期廠預(yù)計2024年底前投產(chǎn)。在2024年進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn)，在2025年進(jìn)行量產(chǎn)。

除臺積電外，三星晶圓代工業(yè)務(wù)的負(fù)責(zé)人曾表示，基于 3nm 的芯片設(shè)計計劃于 2022 年上半年開始生產(chǎn)，而基于 2nm 的芯片將在 2025 年量產(chǎn)。目前只知道三星將采用GAA晶體管，跟3nm一樣基于MBCFET（多橋溝道FET）技術(shù)，這是一種納米片晶體管，可以垂直堆疊，而且兼容現(xiàn)在的CMOS工藝，共享設(shè)備與制造方法，降低了新技術(shù)的升級成本。