SK海力士透露旗下DDR5內(nèi)存細(xì)節(jié),普及還需時日
[釘科技報道] 最近一段時間,各相關(guān)品牌紛紛研究出DDR5內(nèi)存顆粒,而近日,SK海力士公布了旗下第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片,顧名思義,其頻率高達6400MHz。(圖為DDR4內(nèi)存)目前市面上主流的DDR4內(nèi)存頻率大約在3000MHz左右,而海力士這款DDR5內(nèi)存芯片頻率高出一倍以上,單顆芯片容量為16Gb。海力士官方介紹,其DDR5芯片采用了1ynm制程工藝制造,據(jù)了解這種工藝其實為第二代1
原創(chuàng)
2019-03-04 14:40:58
來源:釘科技??

[釘科技報道] 最近一段時間,各相關(guān)品牌紛紛研究出DDR5內(nèi)存顆粒,而近日,SK海力士公布了旗下第一顆DDR5-6400內(nèi)存芯片,顧名思義,其頻率高達6400MHz。

QQ截圖20190304143959.png

(圖為DDR4內(nèi)存)

目前市面上主流的DDR4內(nèi)存頻率大約在3000MHz左右,而海力士這款DDR5內(nèi)存芯片頻率高出一倍以上,單顆芯片容量為16Gb。

海力士官方介紹,其DDR5芯片采用了1ynm制程工藝制造,據(jù)了解這種工藝其實為第二代10nm制程工藝,其擁有4個金屬層,面積76.22平方毫米。

據(jù)了解,SK海力士此前第一代21nm工藝的DDR4內(nèi)存芯片面積同樣為76平方毫米左右,單顆8Gb容量,如今在同樣面積的情況下,儲存密度增加了一倍。不過后續(xù)隨著工藝的進一步提升,相信DDR5也會像DDR4后期第二代21nm工藝一樣,將顆粒面積進一步積縮小。

另外,新內(nèi)存的工作電壓僅為1.1V,相比目前DDR4的1.2V再次降低,不過目前很多高頻DDR4內(nèi)存電壓都在1.35V左右。

在釘科技看來,DDR5距離普及還是需要一段時間,一方面就是DDR5內(nèi)存上市后,需要Intel和AMD兩家推出更新的平臺來支持,玩家才可以真正的著手更新DDR5內(nèi)存;另一方面, DDR5目前仍沒有行業(yè)規(guī)范,目前三星、海力士、美光等巨頭都在努力研發(fā)DDR5產(chǎn)品,但是原計劃于2018年年底推出的DDR5標(biāo)準(zhǔn)一直沒有定下來,JEDEC組織也沒有更新標(biāo)準(zhǔn)出爐的預(yù)計時間。(釘科技原創(chuàng),轉(zhuǎn)載務(wù)必注明出處“釘科技”)

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